급속 퇴화로

제품 소개:

실제 RTP100형 급속 퇴화로는 한국ULTECH는회사의 한 종류4촌편쾌속퇴화로, 혁신적인 가열기술을 채용하여 진정한 기저온도측정을 실현할수 있으며 전통적인 쾌속퇴화로의 온도보상을 채용할 필요가 없으며 온도통제가 정확하고 온도중복성이 높으며 국제적으로 많은 반도체회사 및 과학연구팀을 포함한 고객은 반도체제정퇴화공예의 리상적인 선택이다.

n 기술 특징:

-기존 온도 보정 없이 실제 베이스 온도 측정

-적외선 할로겐 관등 가열

-매우 우수한 가열 온도 정확성과 균일성

-빠른 숫자PID는온도 제어

-스테인리스강 냉벽 진공 챔버

-시스템 안정성

-컴팩트한 소형 데스크탑 시스템

-터치스크린 포함PC는제어

-상압 및 진공 환경과 호환되며 진공도 기준치는5x10-3Torr, 2급 분자 펌프를 사용하여 진공도가 낮음5x10-6Torr

-3도로 가스 (MFC는제어)

-교차 오염도 없고 금속 오염도 없어

n 기술 소개:

위의 그림과 같이, 진열식 할로겐 램프에서 복사된 열량은 석영 창을 거쳐 샘플 표면에 도달하고, 샘플은 가열되며, 전통적인 급속 퇴화로는 열전극을 사용하여 기판의 온도를 측정하는데, 열전극은 기판과 일정한 거리가 있기 때문에, 측정한 것은 기판의 실제 온도가 아니며, 반드시 온도 보상을 진행해야 한다.

실제 RTP100형 급속 퇴화로는 전용 조각 모양의실제 T/C 키트온도 측정을 진행하는데, 위의 그림과 같이 열전지 온도 측정기와 편상실제 T/C 키트연결, 작동 시 조각실제 T/C 키트샘플 위쪽의 가까운 위치에 위치하며, 진열식 할로겐 램프는 열량을 방사하여 석영 창을 거쳐 샘플 표면에 도달하고, 샘플은 가열되고, 조각 모양으로실제 T/C 키트기판과실제 T/C 키트매우 가깝고, 그것들 사이에도 열 전달이 이루어지고, 곧 열 균형에 도달하기 때문에 조각상실제 T/C 키트측정된 온도는 기판의 실제 온도에 무한히 접근하여 기판의 온도의 실제 측정을 실현한다.

n 주요 기술 매개 변수:

-베이스 크기:4인치

-베이스: 쿼츠 핀(옵션)SiC는코팅 흑연)

-온도 범위:150-1250℃

-가열 속도:10-200℃/S

-온도 균일성:≤±1.5% (@800℃, 실리콘 웨이퍼)

≤±1.0% (@800℃, SiC에 입히는 그라파이트 감지기에 기판)

-온도 제어 정밀도:≤ ±3℃

-온도 반복성:≤ ±3℃

-真空度：5.0E-3 베이 / 5.0E-6 베이

-가스 공급: 표준1길N2는공기 흐름 및 냉각 회로,MFC는제어 (최대 옵션3도로)

-퇴화 지속 시간:≥35min@1250℃

-온도 제어: 빠른 숫자PID는제어

-치수870mm * 650mm * 620mm

n기본 슬라이스 유형:

-실리콘 웨이퍼실리콘 조각

-복합 반도체 웨이퍼화합물 반도체 기판

-LED를 위한 GaN/사파이어 웨이퍼사용LED는의GaN/사파이어 기판

-실리콘 카바이드 웨이퍼탄화규소 기판

-태양전지용 폴리 실리콘 웨이퍼태양 전지에 사용되는 폴리실리콘 기판

-유리 기판유리 기판

-금속금속

-폴리머폴리머

-그래파이트 및 실리콘 카바이드 감염기흑연과 탄화규소를 도금한 흑연 베이스

n응용 분야:

이온 주입/접촉 퇴화, 빠른 열처리(RTP), 빨리 열을 내리세요(RTA), 빠른 열산화(RTO), 빠른 열 질소화(RTN)진공, 불활성 분위기, 산소, 수소, 혼합가스 등 다양한 환경에서 사용할 수 있습니다.SiAu, SiAl의 SiMo합금화, 저개전 재료, 결정화, 치밀화, 태양전지 조각 결합 등.