플라즈마 증강 원자층 퇴적 시스템

플라즈마 증강 원자층 퇴적 시스템
(PEALD)
플라즈마 증강 원자층 퇴적(Plasma Enhance Atomic Layer Deposition, PEALD)은 원자층 외연(Atomic Layer Epitaxy, ALE) 또는 원자층 화학 기상 퇴적(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition, ALCVapor Deposition)이라고도 한다.원자층침적은 하나의 가열반응의 밑바닥에 적어도 두가지 기상전구체원을 련속 도입하여 화학흡착이 표면포화에 이르렀을 때 자동적으로 중지되며 적당한 과정온도는 분자가 표면에서 물리적으로 흡착하는것을 저애한다.기본적인 원자층 퇴적 순환에는 펄스 A, 세척 A, 펄스 B, 세척 B의 네 단계가 포함된다. 퇴적 순환은 필요한 박막 두께를 얻을 때까지 계속 반복되며, 나노 구조를 만들어 나노 부품을 만드는 도구다.

PEALD의 장점은 다음과 같습니다.
1. 반응주기수를 제어하여 박막의 두께를 정확하게 제어하여 원자층의 두께 정밀도를 달성할 수 있는 박막;
2.전구체는 포화화학 흡착이기 때문에 대면적의 균일성을 보장하는 박막;
3.생성 가능한 3차원 보형성 화학 계량 박막, 계단 커버 및 나노 구멍 재료의 코팅;
4. 나노 박층과 혼합 산화물을 다조분 침적할 수 있다.
5. 박막 성장은 저온에서 할 수 있다(실온 400도 이하).
6. 다양한 형태의 라이닝에 폭넓게 적용 가능합니다.
7. 원자층이 퇴적하여 생장하는 금속산화물박막은 울타리전매질, 전기발광모니터절연체, 콘덴서전매질과 MEMS부품에 사용할수 있으며 생장하는 금속질소화물박막은 확산세루에 적합하다.


플라즈마 강화 원자층 퇴적 PEALD의 적용:
1) High-K 매개 전기 재료 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlo, Ta2O5, La2O3);
2) 전도 게이트 전극 (Ir, Pt, Ru, TiN);
3) 금속 연결 구조(Cu, WN, TaN, Ru, Ir);
4) 촉매 재료 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);
5) 나노구조(All ALD Material);
6) 생의학 코팅 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);
7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);
8) 압전층 (ZnO, AlN, ZnS);
9) 투명전기도체(ZnO:Al, ITO);
10) 자외선 차단층 (ZnO, TiO2);
11) OLED 둔화층 (Al2O3),
12) 光子晶体 (ZnO, ZnS: Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 반사 방지 필터 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);
14) 전기 발광 장치(SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 식각 울타리, 이온 확산 울타리 등 공정층 (Al2O3, ZrO2);
16) 태양 전지, 레이저, 광학 코팅, 나노 광자 등과 같은 광학 응용 프로그램 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 센서(SnO2, Ta2O5);
18) 마모 윤활제, 부식 차단층 (Al2O3, ZrO2, WS2);


시스템 구성:
기본 크기: 6인치, 8인치, 12인치
가열 온도: 25 ℃ - 400 ℃ (더 높은 옵션 가능);
균일성:<2%;
전면 드라이브 수: 4소켓(6소켓 옵션),
호환성: 100레벨 울트라 클린룸과 호환 가능,
크기: 950mm x 700mm;
ALD 및 PE-ALD 기술;
현재 퇴적할 수 있는 재료는 다음과 같다.
1） 氧化物:Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2) 질소: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN,...
3) 불화물: CaF2, SrF2, ZnF2,...
4） 金属:Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni,...
5) 탄화물: TiC, NbC, TaC,...
6) 복합 구조 재료: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2: Al, HfSiOx,...
7) 황산화물: ZnS, SrS, CaS, PbS,...