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UPD 시리즈 초고속 탐지기

협상 가능업데이트01/22
모델
제조업체의 성격
생산자
제품 카테고리
원산지 Place of Origin

개요

UPD 시리즈 초고속 광전 탐지기는 DC에서 25Ghz 주파수의 광학 신호 측정에 매우 적합합니다.UPD 시리즈의 다양한 모델은 스펙트럼 범위 170-2600nm를 커버하고 있으며, 상승 연변은 15ps까지 짧다. $r$n 모든 광전 다이오드는 컴팩트한 알루미늄 케이스 안에 봉인되어 있다.배터리나 외부 전원과 함께 사용할 수 있습니다.$r$n 실리콘 광전 탐지기의 확장 UV 모델은 170-1100nm를 측정 할 수있는 현재 시장에서 유일한 제품입니다.

제품 정보

UPD 시리즈 초고속 탐지기

광전 탐지기의 특징 앱

빠른 작업 속도

상승시간에 따라:15ps

대역폭:큰25 GHz의

스펙트럼 범위:
170 - 2600 nm (IR에 UV)

컴팩트한 디자인

외부 전원 및 배터리

자유 빔 / FC-PC 커넥터 / 끝섬세식

펄스 측정

펄스 간격 측정

의 동기화

모방주파수 모니터링

외차 진동측정

UPD 시리즈 초고속 광전 탐지기는 DC에서 25Ghz 주파수의 광학 신호 측정에 매우 적합합니다.UPD 시리즈의 다양한 모델은 스펙트럼 범위 170-2600nm를 커버하며 상승시간에 따라15ps까지 짧습니다.

모든 광전 다이오드는 컴팩트한 알루미늄 케이스 안에 봉인되어 있다.배터리나 외부 전원과 함께 사용할 수 있습니다.

실리콘 광전 탐지기의 확장 UV 모델은 현재 시장에서 170-1100nm를 측정할 수 있는 유일한 제품이다.

기타 *의 UV 자외선 민감성InGaAs는광전 탐지기는 탐지기 350-1700nm의 레이저 펄스에 사용할 수 있다신호, 그래서 그것의 스펙트럼 범위는 현재 시장에서 넓다.

의 임피던스 정합 및 마이크로파 기술로 측정된 신호에 가장자리와 가짜그림자가 없도록 합니다.고객은 고속 작업을 위해 큰 신호를 얻을 수 있는 고임피던스 장소에 사용 가능50 Ω의 터미널 저항기.

결합알파의 BBA 시리즈 광대역 고이득 증폭기, 고속 광전 탐지기는 비싸고 복잡한 눈사태 광전 다이오드를 대체할 수 있다.

UPD 시리즈 고속 광전 탐지기는 레이저 및 광전 연구를 대체할 수없는 도구입니다.

고속 광전 탐지기(UPD 시리즈) -옵션 모델

모델 상승 시간(ps) 대역폭(GHz) 스펙트럼 범위(nm) 양자 효율@ 피크 민감한 영역(직경. µm/mm)2) 소음 동등한 전력(W/√Hz) 암류(nA는) 소재 라이트 입력 / 창 유형1) 무선 출력 커넥터
UPD-15-IR2-FC는 < 15 > 25 800 - 1700 75% n.a. 1.0 × 10-15 0.1 InGaAs는 섬유 w. FC/APC SMA는
UPD-30-VSG-P는 < 30 > 10 320 - 900 40% 200x200/0.04의 3.0 × 10-15 0.1 GaAs는 研磨, 유리 SMA는
UPD-35-IR2-P는 < 35 > 10 800 - 1700 80% 55/0.0024 1.0 × 10-15 0.3 InGaAs는 研磨, 유리 SMA는
UPD-35-IR2-D는 < 35 > 10 800 - 1700 80% 55/0.0024 1.0 × 10-15 0.3 InGaAs는 Diffuse, 석영 SMA는
UPD-35-IR2-FR < 35 > 10 800 - 1700 80% 55/0.0024 1.0 × 10-15 0.3 InGaAs는 FC/PC 용기 SMA는
UPD-35-IR2-FC는 < 35 > 10 800 - 1700 80% 55/0.0024 1.0 × 10-15 0.3 InGaAs는 섬유 w. FC/APC SMA는
UPD-35-UVIR-P는 < 35 > 10 350 - 1700 80% 55/0.0024 1.0 × 10-15 0.3 InGaAs는4) 研磨, MgF2 SMA는
UPD-35-UVIR-D는 < 35 > 10 350 - 1700 80% 55/0.0024 1.0 × 10-15 0.3 InGaAs는4) Diffuse, 석영 SMA는
업데이트 -40-p < 40 > 8.5 500 - 1690 40% 200x200/0.04의 3.0 × 10-10 5000 InGaAs는 研磨, 유리 SMA는
UPD-40-IR2-P는 < 40 > 8.5 800 - 1700 80% 60/0.0028 1.1 × 10-15 0.5 InGaAs는 研磨, 유리 SMA는
UPD-40-IR2-D < 40 > 8.5 800 - 1700 80% 60/0.0028 1.1 × 10-15 0.5 InGaAs는 Diffuse, 석영 SMA는
UPD-40-IR2-FR < 40 > 8.5 800 - 1700 80% 60/0.0028 1.1 × 10-15 0.5 InGaAs는 FC/PC 용기 SMA는
UPD-40-IR2-FC는 < 40 > 8.5 800 - 1700 80% 60/0.0028 1.1 × 10-15 0.5 InGaAs는 섬유 w. FC/APC SMA는
UPD-40-UVIR-P는 < 40 > 8.5 350 - 1700 80% 60/0.0028 1.1 × 10-15 0.5 InGaAs는4) 研磨, MgF2 SMA는
UPD-40-UVIR-D는 < 40 > 8.5 350 - 1700 80% 60/0.0028 1.1 × 10-15 0.5 InGaAs는4) Diffuse, 석영 SMA는
UPD-50-SP < 50 > 7.0 320 - 1100 45% 100/0.0079 1.2 × 10-15 0.001 Si 研磨, 유리 SMA는
UPD-50-SD는 < 50 > 7.0 320 - 1100 45% 100/0.0079 1.2 × 10-15 0.001 Si Diffuse, 석영 SMA는
UPD-50-UP는 < 50 > 7.0 170 - 1100 45% 100/0.0079 1.2 × 10-15 0.001 Si
4)
研磨, MgF2 SMA는
최대 - 50-ud < 50 > 7.0 170 - 1100 45% 100/0.0079 1.2 × 10-15 0.001 Si
4)
Diffuse, 석영 SMA는
UPD-70-IR2-P는 < 70 > 5.0 800 - 1700 80% 80/0.005 2.0 × 10-15 0.8 InGaAs는 研磨, 유리 SMA는
UPD-70-IR2-D는 < 70 > 5.0 800 - 1700 80% 80/0.005 2.0 × 10-15 0.8 InGaAs는 Diffuse, 석영 SMA는
UPD-70은IR2-FR < 70 > 5.0 800 -1700 80% 80/0.005 2.0 ×10-15 0.8 InGaA는s FC / PC용기 SMA는
UPD-70-IR2-FC는 < 70 > 5.0 800 - 1700 80% 80/0.005 2.0 × 10-15 0.8 InGaAs는 섬유 w. FC/APC SMA는
UPD-70-UVIR-P는 < 70 > 5.0 350 - 1700 80% 80/0.005 2.0 × 10-15 0.8 InGaAs는4) 研磨, MgF2 SMA는
UPD-70-UVIR-D는 < 70 > 5.0 350 - 1700 80% 80/0.005 2.0 × 10-15 0.8 InGaAs는4) Diffuse, 석영 SMA는
UPD-100-IR1-P는 < 100 > 3.0 400 - 2000 80% 80/0.005 3.0 × 10-13 700 Ge는 研磨, 유리 SMA는
UPD-200-SP < 175 > 2.0 320 - 1100 85% 400/0.126 1.5 × 10-15 0.001 Si 研磨, 유리 BNC는
UPD-200-SD는 < 175 > 2.0 320 - 1100 85% 400/0.126 1.5 × 10-15 0.001 Si Diffuse, 석영 BNC는
UPD-200-UP는 < 175 > 2.0 170 - 1100 85% 400/0.126 1.5 × 10-15 0.001 Si
4)
研磨, MgF2 BNC는
최대 - 200-ud < 175 > 2.0 170 - 1100 85% 400/0.126 1.5 × 10-15 0.001 Si
4)
Diffuse, 석영 BNC는
UPD-300-SP < 300 > 1.0 320 - 1100 90% 600/0.283 3.0 × 10-15 0.01 Si 研磨, 유리 BNC는
UPD-300-SD는 < 300 > 1.0 320 - 1100 90% 600/0.283 3.0 × 10-15 0.01 Si Diffuse, 석영 BNC는
UPD-300-UP는 < 300 > 1.0 170 - 1100 90% 600/0.283 3.0 × 10-15 0.01 Si
4)
研磨, MgF2 BNC는
최대 -300도 < 300 > 1.0 170 - 1100 90% 600/0.283 3.0 × 10-15 0.01 Si
4)
Diffuse, 석영 BNC는
UPD-500-SP < 500 > 0.6 320 - 1100 90% 800/0.5 3.5 × 10-15 0.01 Si 研磨, 유리 BNC는
UPD-500-SD는 < 500 > 0.6 320 - 1100 90% 800/0.5 3.5 × 10-15 0.01 Si 분산,석영 BNC는
UPD-500-UP는 < 500 > 0.6 170 - 1100 90% 800/0.5 3.5 × 10-15 0.01 Si
4)
研磨, MgF2 BNC는
최대 -500도 < 500 > 0.6 170 - 1100 90% 800/0.5 3.5 × 10-15 0.01 Si
4)
Diffuse, 석영 BNC는
UPD-3N-IR2-P는 < 3500 > 0.1 800 - 2100 75% 300/0.07 1.5 × 10-13 90 InGaAs는 研磨, 유리 BNC는
UPD-5N-IR2-P는 < 6000 > 0.06 800 - 2600 70% 300/0.07 7.0 × 10-13 2000 InGaAs는 研磨, 유리 BNC는
UPD-2M-IR2-P는 < 75000 > 0.004 900 - 1700 80% 2000/3.14 4.0 × 10-14 5 InGaAs는 研磨, 유리 BNC는
UPD-2M-IR2-P-1TEC는
2)
< 75000 > 0.004 900 - 1700 75% 2000/3.14 1.0 × 10-14 0.3 InGaAs는 研磨, 유리 BNC는