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강소성 강음시 인민동로 1091호 1017실
Jiangyin Yunxiang Optoelectronic Technology Co., Ltd
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UPD 시리즈 초고속 탐지기

| 광전 탐지기의 특징 | 앱 |
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빠른 작업 속도 상승시간에 따라:15ps 대역폭:큰25 GHz의 스펙트럼 범위: 컴팩트한 디자인 외부 전원 및 배터리 자유 빔 / FC-PC 커넥터 / 끝섬세식 |
펄스 측정 펄스 간격 측정 의 동기화 모방주파수 모니터링 외차 진동측정 |
UPD 시리즈 초고속 광전 탐지기는 DC에서 25Ghz 주파수의 광학 신호 측정에 매우 적합합니다.UPD 시리즈의 다양한 모델은 스펙트럼 범위 170-2600nm를 커버하며 상승시간에 따라15ps까지 짧습니다.
모든 광전 다이오드는 컴팩트한 알루미늄 케이스 안에 봉인되어 있다.배터리나 외부 전원과 함께 사용할 수 있습니다.
실리콘 광전 탐지기의 확장 UV 모델은 현재 시장에서 170-1100nm를 측정할 수 있는 유일한 제품이다.
기타 *의 UV 자외선 민감성InGaAs는광전 탐지기는 탐지기 350-1700nm의 레이저 펄스에 사용할 수 있다신호, 그래서 그것의 스펙트럼 범위는 현재 시장에서 넓다.
의 임피던스 정합 및 마이크로파 기술로 측정된 신호에 가장자리와 가짜그림자가 없도록 합니다.고객은 고속 작업을 위해 큰 신호를 얻을 수 있는 고임피던스 장소에 사용 가능50 Ω의 터미널 저항기.
결합알파의 BBA 시리즈 광대역 고이득 증폭기, 고속 광전 탐지기는 비싸고 복잡한 눈사태 광전 다이오드를 대체할 수 있다.
UPD 시리즈 고속 광전 탐지기는 레이저 및 광전 연구를 대체할 수없는 도구입니다.
고속 광전 탐지기(UPD 시리즈) -옵션 모델
| 모델 | 상승 시간(ps) | 대역폭(GHz) | 스펙트럼 범위(nm) | 양자 효율@ 피크 | 민감한 영역(직경. µm/mm)2) | 소음 동등한 전력(W/√Hz) | 암류(nA는) | 소재 | 라이트 입력 / 창 유형1) | 무선 출력 커넥터 |
| UPD-15-IR2-FC는 | < 15 | > 25 | 800 - 1700 | 75% | n.a. | 1.0 × 10-15 | 0.1 | InGaAs는 | 섬유 w. FC/APC | SMA는 |
| UPD-30-VSG-P는 | < 30 | > 10 | 320 - 900 | 40% | 200x200/0.04의 | 3.0 × 10-15 | 0.1 | GaAs는 | 研磨, 유리 | SMA는 |
| UPD-35-IR2-P는 | < 35 | > 10 | 800 - 1700 | 80% | 55/0.0024 | 1.0 × 10-15 | 0.3 | InGaAs는 | 研磨, 유리 | SMA는 |
| UPD-35-IR2-D는 | < 35 | > 10 | 800 - 1700 | 80% | 55/0.0024 | 1.0 × 10-15 | 0.3 | InGaAs는 | Diffuse, 석영 | SMA는 |
| UPD-35-IR2-FR | < 35 | > 10 | 800 - 1700 | 80% | 55/0.0024 | 1.0 × 10-15 | 0.3 | InGaAs는 | FC/PC 용기 | SMA는 |
| UPD-35-IR2-FC는 | < 35 | > 10 | 800 - 1700 | 80% | 55/0.0024 | 1.0 × 10-15 | 0.3 | InGaAs는 | 섬유 w. FC/APC | SMA는 |
| UPD-35-UVIR-P는 | < 35 | > 10 | 350 - 1700 | 80% | 55/0.0024 | 1.0 × 10-15 | 0.3 | InGaAs는4) | 研磨, MgF2 | SMA는 |
| UPD-35-UVIR-D는 | < 35 | > 10 | 350 - 1700 | 80% | 55/0.0024 | 1.0 × 10-15 | 0.3 | InGaAs는4) | Diffuse, 석영 | SMA는 |
| 업데이트 -40-p | < 40 | > 8.5 | 500 - 1690 | 40% | 200x200/0.04의 | 3.0 × 10-10 | 5000 | InGaAs는 | 研磨, 유리 | SMA는 |
| UPD-40-IR2-P는 | < 40 | > 8.5 | 800 - 1700 | 80% | 60/0.0028 | 1.1 × 10-15 | 0.5 | InGaAs는 | 研磨, 유리 | SMA는 |
| UPD-40-IR2-D | < 40 | > 8.5 | 800 - 1700 | 80% | 60/0.0028 | 1.1 × 10-15 | 0.5 | InGaAs는 | Diffuse, 석영 | SMA는 |
| UPD-40-IR2-FR | < 40 | > 8.5 | 800 - 1700 | 80% | 60/0.0028 | 1.1 × 10-15 | 0.5 | InGaAs는 | FC/PC 용기 | SMA는 |
| UPD-40-IR2-FC는 | < 40 | > 8.5 | 800 - 1700 | 80% | 60/0.0028 | 1.1 × 10-15 | 0.5 | InGaAs는 | 섬유 w. FC/APC | SMA는 |
| UPD-40-UVIR-P는 | < 40 | > 8.5 | 350 - 1700 | 80% | 60/0.0028 | 1.1 × 10-15 | 0.5 | InGaAs는4) | 研磨, MgF2 | SMA는 |
| UPD-40-UVIR-D는 | < 40 | > 8.5 | 350 - 1700 | 80% | 60/0.0028 | 1.1 × 10-15 | 0.5 | InGaAs는4) | Diffuse, 석영 | SMA는 |
| UPD-50-SP | < 50 | > 7.0 | 320 - 1100 | 45% | 100/0.0079 | 1.2 × 10-15 | 0.001 | Si | 研磨, 유리 | SMA는 |
| UPD-50-SD는 | < 50 | > 7.0 | 320 - 1100 | 45% | 100/0.0079 | 1.2 × 10-15 | 0.001 | Si | Diffuse, 석영 | SMA는 |
| UPD-50-UP는 | < 50 | > 7.0 | 170 - 1100 | 45% | 100/0.0079 | 1.2 × 10-15 | 0.001 |
Si 4) |
研磨, MgF2 | SMA는 |
| 최대 - 50-ud | < 50 | > 7.0 | 170 - 1100 | 45% | 100/0.0079 | 1.2 × 10-15 | 0.001 |
Si 4) |
Diffuse, 석영 | SMA는 |
| UPD-70-IR2-P는 | < 70 | > 5.0 | 800 - 1700 | 80% | 80/0.005 | 2.0 × 10-15 | 0.8 | InGaAs는 | 研磨, 유리 | SMA는 |
| UPD-70-IR2-D는 | < 70 | > 5.0 | 800 - 1700 | 80% | 80/0.005 | 2.0 × 10-15 | 0.8 | InGaAs는 | Diffuse, 석영 | SMA는 |
| UPD-70은IR2-FR | < 70 | > 5.0 | 800 -1700 | 80% | 80/0.005 | 2.0 ×10-15 | 0.8 | InGaA는s | FC / PC용기 | SMA는 |
| UPD-70-IR2-FC는 | < 70 | > 5.0 | 800 - 1700 | 80% | 80/0.005 | 2.0 × 10-15 | 0.8 | InGaAs는 | 섬유 w. FC/APC | SMA는 |
| UPD-70-UVIR-P는 | < 70 | > 5.0 | 350 - 1700 | 80% | 80/0.005 | 2.0 × 10-15 | 0.8 | InGaAs는4) | 研磨, MgF2 | SMA는 |
| UPD-70-UVIR-D는 | < 70 | > 5.0 | 350 - 1700 | 80% | 80/0.005 | 2.0 × 10-15 | 0.8 | InGaAs는4) | Diffuse, 석영 | SMA는 |
| UPD-100-IR1-P는 | < 100 | > 3.0 | 400 - 2000 | 80% | 80/0.005 | 3.0 × 10-13 | 700 | Ge는 | 研磨, 유리 | SMA는 |
| UPD-200-SP | < 175 | > 2.0 | 320 - 1100 | 85% | 400/0.126 | 1.5 × 10-15 | 0.001 | Si | 研磨, 유리 | BNC는 |
| UPD-200-SD는 | < 175 | > 2.0 | 320 - 1100 | 85% | 400/0.126 | 1.5 × 10-15 | 0.001 | Si | Diffuse, 석영 | BNC는 |
| UPD-200-UP는 | < 175 | > 2.0 | 170 - 1100 | 85% | 400/0.126 | 1.5 × 10-15 | 0.001 |
Si 4) |
研磨, MgF2 | BNC는 |
| 최대 - 200-ud | < 175 | > 2.0 | 170 - 1100 | 85% | 400/0.126 | 1.5 × 10-15 | 0.001 |
Si 4) |
Diffuse, 석영 | BNC는 |
| UPD-300-SP | < 300 | > 1.0 | 320 - 1100 | 90% | 600/0.283 | 3.0 × 10-15 | 0.01 | Si | 研磨, 유리 | BNC는 |
| UPD-300-SD는 | < 300 | > 1.0 | 320 - 1100 | 90% | 600/0.283 | 3.0 × 10-15 | 0.01 | Si | Diffuse, 석영 | BNC는 |
| UPD-300-UP는 | < 300 | > 1.0 | 170 - 1100 | 90% | 600/0.283 | 3.0 × 10-15 | 0.01 |
Si 4) |
研磨, MgF2 | BNC는 |
| 최대 -300도 | < 300 | > 1.0 | 170 - 1100 | 90% | 600/0.283 | 3.0 × 10-15 | 0.01 |
Si 4) |
Diffuse, 석영 | BNC는 |
| UPD-500-SP | < 500 | > 0.6 | 320 - 1100 | 90% | 800/0.5 | 3.5 × 10-15 | 0.01 | Si | 研磨, 유리 | BNC는 |
| UPD-500-SD는 | < 500 | > 0.6 | 320 - 1100 | 90% | 800/0.5 | 3.5 × 10-15 | 0.01 | Si | 분산,석영 | BNC는 |
| UPD-500-UP는 | < 500 | > 0.6 | 170 - 1100 | 90% | 800/0.5 | 3.5 × 10-15 | 0.01 |
Si 4) |
研磨, MgF2 | BNC는 |
| 최대 -500도 | < 500 | > 0.6 | 170 - 1100 | 90% | 800/0.5 | 3.5 × 10-15 | 0.01 |
Si 4) |
Diffuse, 석영 | BNC는 |
| UPD-3N-IR2-P는 | < 3500 | > 0.1 | 800 - 2100 | 75% | 300/0.07 | 1.5 × 10-13 | 90 | InGaAs는 | 研磨, 유리 | BNC는 |
| UPD-5N-IR2-P는 | < 6000 | > 0.06 | 800 - 2600 | 70% | 300/0.07 | 7.0 × 10-13 | 2000 | InGaAs는 | 研磨, 유리 | BNC는 |
| UPD-2M-IR2-P는 | < 75000 | > 0.004 | 900 - 1700 | 80% | 2000/3.14 | 4.0 × 10-14 | 5 | InGaAs는 | 研磨, 유리 | BNC는 |
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UPD-2M-IR2-P-1TEC는 2) |
< 75000 | > 0.004 | 900 - 1700 | 75% | 2000/3.14 | 1.0 × 10-14 | 0.3 | InGaAs는 | 研磨, 유리 | BNC는 |