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심수시 보안구 사정거리와 일서부창업공업단지 D동 4층
심천금백금리래과학기술유한공사
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플라즈마 표면 처리는 기체에 충분한 에너지를 가하여 플라즈마를 이온화시키는 것이다.플라즈마의"활성"조분에는 이온, 전자, 원자, 활성기단 등이 포함된다.플라스마 처리는 이익을 통해 하는 것이다이러한 활성 성분의 성질로 샘플 표면을 처리하여 청결, 변성, 각식 등의 목적을 실현한다.플라즈마와 재료 표면에서 발생할 수 있는 반응은 주로 두 가지가 있는데, 하나는 자유기로 화학반응을 하는 것이고, 다른 하나는종은 플라스마에 의해 물리적으로 반응한다.
아래쪽처리 객체 구분 없이 다양한 베이스 처리 가능
아래쪽운영 중 오염 물질 발생, 환경 보호 및 지속 가능한 개발
아래쪽낮은 운영 비용, 완전 자동화24관리 인력이 필요 없는 시간 운영
아래쪽제품 맞춤형 구성으로 더욱 신속한 처리
아래쪽자동화된 온라인 프로덕션을 위한 높은 처리 효율성
아래쪽처리 과정에 추가 보조적인 물품과 조건이 필요 없다
아래쪽처리온도가 낮아 시료표면에 열영향을 주지 않도록 확보할수 있다.